単結晶サファイア基板
NAPHIA

あらゆる面方位に対応可能 高精度のサファイア基板

Sapphire Wafers Sapphire Wafers当社は、EFG法(Edge-defined Film-Fed Growth Method)で単結晶サファイアを板状に引き上げ、製造しています。サファイアを板状に引き上げることにより、切断(加工)する手間が省けるため、精度の高いサファイア基板が短時間でご用意できます。8インチ角までの大型基板に対応可能です。
EFG法では、任意の面方位に結晶を製造できますので、c面、r面、a面、m面等あらゆる面方位に対応可能です。
さらに、精密研磨加工で、オフ角度を精密(0.1度以下)にコントロールしています。オフ角度の精密さが、試料の成長育成に重要となり、LEDなどで、ムラのない光源を得ることができると好評を得ています。

一般的なLED 用途のStandard grade 基板に加え、高品質なPrime grade 基板をご用意しております。Prime grade 基 板とは、高平坦:TTV<2μm、高洗浄(主要金属:K Ca Ti Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn)に対して、全反射蛍光X 線(TXRF) 測定による5E10/ cm2 形状制御技術によりTTV・BOW・WARP などのコントロールを 実現し、熱膨張係数の違いによりエピタキシャル成長中に起こる、反りなどのダメージを最小限にするサファイア基板を ご提案させて頂きます。新たなプロセス開発・製品開発に貢献いたします。マイクロLED 用基板、深紫外LED 用基板、 高周波デバイス用基板、AlN 成長用基板、Ga2O3 成長用基板などの開発用途として幅広くご利用頂いております。

 

項目 仕様
直径 φ2 インチ φ4 インチ φ6 インチ φ8 インチ
材質 人造サファイア( Al2O3 99.99%以上)
厚さ 430±15μm 650±15μm 1300±20μm 1300±20μm
結晶方位 c 面(0001)
オリフラ*長さ 16±1mm 30±1mm 47.5±2.5mm 47.5±2.5mm
オリフラ方位 a 面 0±0.3°
TTV* ≦10μm ≦10μm ≦15μm ≦15μm
BOW* -10 ~ 0μm -15 ~ 0μm -20 ~ 0μm -25 ~ 0μm
Warp* ≦15μm ≦20μm ≦25μm ≦30μm
表面仕上 Epi-ready (Ra<0.3nm)
裏面仕上 Lapping (Ra 0.6 - 1.2μm)
梱包 クリーンルーム内真空梱包
Prime grade 高品位洗浄参考値:パーティクル0.3μm 以上、0.18 個/ cm2以下、金属コンタミ5E10/ cm2以下
備考 各種カスタマイズ可能:面方位a, r, m 面、結晶方位off 変更、形状規格変更、両面研磨など

*オリフラ: 基板の表裏面がわかるように直線の箇所を設けています。 通常a軸は第一オリフラに垂直ですので軸方位もわかります
*TTV (Total Thickness Variation): ウェハー裏面基準面からの距離の最大値と最小値の差。ウェハー全面の厚みバラツキの値     
*BOW:ウェハーの中央部で評価した反りの量。ウェハー表面と裏面からの等距離点を結んだ、中間面の凹凸の変位
*Warp:吸着固定しない状態のウェハー指定された裏面基準面よりウェハー中心面の距離の最大値と最小値の差


次世代半導体デバイス・エピタキシャル成長に向け

・高平坦形状(TTV・BOW・WARP などのコントロール)
・高品位洗浄(低パーティクル・低メタルコンタミ)
・基板への穴あけ加工、溝加工、切断、裏面研磨
・基板清浄度、基板形状等の測定データにつきましてもオプションにてご対応可能です。


φ2 インチ~φ8 インチ、φ300mmなど仕様によっては在庫がございますのでお問い合わせ下さい。


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